Name: SUP85N10-10-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP85N10-10-GE3-ND
Price: 7.9134 EUR
Availability: InStock

SUP85N10-10-GE3
N.º de producto de DigiKey	SUP85N10-10-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUP85N10-10-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	85A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10.5mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6550 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.75W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	SUP85

Precio unitario sin IVA:	6,54000 €
Precio unitario con IVA:	7,91340 €

SUP85N10-10-GE3