Canal N Orificio pasante 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB
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SUP50020EL-GE3

N.º de producto de DigiKey
SUP50020EL-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SUP50020EL-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SUP50020EL-GE3 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.3mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
11113 pF @ 30 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
SUP50020
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Cantidad
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Granel
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
13,46000 €3,46 €
102,27600 €22,76 €
1001,60080 €160,08 €
5001,31262 €656,31 €
1.0001,22006 €1.220,06 €
2.0001,17742 €2.354,84 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:3,46000 €
Precio unitario con IVA:4,18660 €