Name: SUM90100E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUM90100E-GE3-ND
Price: 5.1667 EUR
Availability: InStock

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SUM90100E-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SUM90100E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUM90100E-GE3
Descripción	N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	150A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11.4mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3930 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB