Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 2.4321 EUR
Availability: InStock

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SUD50N04-8M8P-4GE3
N.º de producto de DigiKey	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD50N04-8M8P-4GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400 pF @ 20 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 14A (Ta), 50A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SUD50
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.8mOhm a 20A, 10V