Name: SUD35N10-26P-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUD35N10-26P-BE3TR-ND
Price: 3.1944 EUR
Availability: InStock

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SUD35N10-26P-BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SUD35N10-26P-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SUD35N10-26P-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SUD35N10-26P-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD35N10-26P-BE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 12H (Ta), 35H (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000 pF @ 12 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12H (Ta), 35H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7V, 10V	Número de producto base SUD35
Rds On (máx) @ Id, Vgs 26mOhm a 12A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SUD40N10-25-E3	Vishay Siliconix	12.412	SUD40N10-25-E3CT-ND	3,74000 €	MFR recomendado

En stock: 1.805

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Fecha de la última compra: 31/10/2026

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Cinta y rollo (TR)

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Precio unitario sin IVA:	2,64000 €
Precio unitario con IVA:	3,19440 €

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