Name: SQS481ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS481ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.7182 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQS481ENW-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQS481ENW-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQS481ENW-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQS481ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQS481ENW-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 150 V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQS481ENW-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 385 pF @ 75 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.7A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.095Ohm a 5A, 10V	Número de producto base SQS481
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA