Name: SQS460EN-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS460EN-T1_BE3TR-ND
Price: 2.0207 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQS460EN-T1_BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQS460EN-T1_BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQS460EN-T1_BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQS460EN-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQS460EN-T1_BE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 8A (Tc) 39W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 755 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 39W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 36mOhm a 5.3A, 10V	Número de producto base SQS460
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA