Name: SQM40P10-40L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM40P10-40L_GE3TR-ND
Price: 3.6663 EUR
Availability: InStock

SQM40P10-40L_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQM40P10-40L_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQM40P10-40L_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQM40P10-40L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQM40P10-40L_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 40A (Tc) 150W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	40mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	134 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5295 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SQM40

Precio unitario sin IVA:	3,03000 €
Precio unitario con IVA:	3,66630 €

SQM40P10-40L_GE3