SQM40010EL_GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SQM40010EL_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQM40010EL_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQM40010EL_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQM40010EL_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQM40010EL_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 120H (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 230 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 17100 pF @ 20 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Estado de pieza Obsoleto	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.6mOhm a 30A, 10V	Número de producto base SQM40010
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SQJ138ELP-T1_GE3	Vishay Siliconix	7.714	742-SQJ138ELP-T1_GE3CT-ND	1,90000 €	MFR recomendado
IPB120N04S401ATMA1	Infineon Technologies	1.611	IPB120N04S401ATMA1CT-ND	3,27000 €	Similar
IRFS7437TRLPBF	Infineon Technologies	5.867	IRFS7437TRLPBFCT-ND	2,15000 €	Similar

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Precio unitario con IVA:	4,29550 €

SQM40010EL_GE3