Name: SQM110N05-06L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM110N05-06L_GE3TR-ND
Price: 4.114 EUR
Availability: InStock

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SQM110N05-06L_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQM110N05-06L_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQM110N05-06L_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQM110N05-06L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQM110N05-06L_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 110A (Tc) 157W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4440 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 157W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 110A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6mOhm a 30A, 10V	Número de producto base SQM110
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (9)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BUK9608-55B,118	Nexperia USA Inc.	321	1727-4711-1-ND	2,70000 €	Similar
HUF75345S3ST	onsemi	1.881	HUF75345S3STCT-ND	6,95000 €	Similar
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IXTA110N055T2	IXYS	0	IXTA110N055T2-ND	4,00000 €	Similar