
SQJQ900E-T1_GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SQJQ900E-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJQ900E-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJQ900E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJQ900E-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8 |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 40V 100A (Tc) 75W Montaje en superficie PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJQ900E-T1_GE3 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC a 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5900pF a 20V |
Serie | Potencia - Máx. 75W |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100A (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.9mOhm a 20A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,08000 € | 3,08 € |
| 10 | 2,00700 € | 20,07 € |
| 100 | 1,39660 € | 139,66 € |
| 500 | 1,13590 € | 567,95 € |
| 1.000 | 1,12337 € | 1.123,37 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2.000 | 0,98176 € | 1.963,52 € |
| 4.000 | 0,92261 € | 3.690,44 € |
| 6.000 | 0,91779 € | 5.506,74 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,08000 € |
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| Precio unitario con IVA: | 3,72680 € |


