Name: SQJQ466E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ466E-T1_GE3TR-ND
Price: 4.1745 EUR
Availability: InStock

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SQJQ466E-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQJQ466E-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJQ466E-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJQ466E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJQ466E-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 200A (Tc) 150W (Tc) PowerPAK® 8 x 8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJQ466E-T1_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10210 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 8 x 8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 8 x 8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.9mOhm a 10A, 10V	Número de producto base SQJQ466
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA