
SQJB40EP-T1_GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SQJB40EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJB40EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJB40EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJB40EP-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 39 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 40V 30A (Tc) 34W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJB40EP-T1_GE3 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC a 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF a 25V |
Serie | Potencia - Máx. 34W |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8mOhm a 8A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,68000 € | 1,68 € |
| 10 | 1,07100 € | 10,71 € |
| 100 | 0,72050 € | 72,05 € |
| 500 | 0,57022 € | 285,11 € |
| 1.000 | 0,52187 € | 521,87 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,46051 € | 1.381,53 € |
| 6.000 | 0,42963 € | 2.577,78 € |
| 9.000 | 0,41391 € | 3.725,19 € |
| 15.000 | 0,40105 € | 6.015,75 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,68000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,03280 € |






