Name: SQJ412EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ412EP-T1_BE3TR-ND
Price: 3.4727 EUR
Availability: InStock

SQJ412EP-T1_BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ412EP-T1_BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ412EP-T1_BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ412EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ412EP-T1_BE3
Descripción	N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 32A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	32A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.1mOhm a 10.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5950 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,87156 €	2.614,68 €
6.000	0,83620 €	5.017,20 €

Precio unitario sin IVA:	2,87000 €
Precio unitario con IVA:	3,47270 €

SQJ412EP-T1_BE3