
SQJ992EP-T2_GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | 742-SQJ992EP-T2_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ992EP-T2_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ992EP-T2_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJ992EP-T2_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 60V 15H (Tc) 34W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJ992EP-T2_GE3 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC a 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 446pF a 30V |
Serie | Potencia - Máx. 34W (Tc) |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15H (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 56.2mOhm a 3.7A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,34000 € | 1,34 € |
| 10 | 0,85100 € | 8,51 € |
| 100 | 0,56540 € | 56,54 € |
| 500 | 0,44312 € | 221,56 € |
| 1.000 | 0,40375 € | 403,75 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,35376 € | 1.061,28 € |
| 6.000 | 0,32860 € | 1.971,60 € |
| 9.000 | 0,31578 € | 2.842,02 € |
| 15.000 | 0,30139 € | 4.520,85 € |
| 21.000 | 0,29449 € | 6.184,29 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,34000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,62140 € |


