Name: SQJ951EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ951EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.3595 EUR
Availability: InStock

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SQJ951EP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQJ951EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ951EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ951EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ951EP-T1_GE3
Descripción	MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 30A 56W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ951EP-T1_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC a 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1680pF a 10V
Serie TrenchFET®	Potencia - Máx. 56W
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Estado de pieza Activo	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Configuración Dos canal P (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (máx) @ Id, Vgs 17mOhm a 7.5A, 10V	Número de producto base SQJ951
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA