Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.6456 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQJ912DEP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ912DEP-T1_GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 30A (Tc) 27W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ912DEP-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.3mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	-
Potencia - Máx.	27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SQJ912