
SQJ912DEP-T1_GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJ912DEP-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 39 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 40V 30A (Tc) 27W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJ912DEP-T1_GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 30A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 7.3mOhm a 7A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 36nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - | |
Potencia - Máx. | 27W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Uso automotriz | |
Calificación | AEC-Q101 | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | PowerPAK® SO-8 Dual | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,44000 € | 1,44 € |
| 10 | 0,90900 € | 9,09 € |
| 100 | 0,60630 € | 60,63 € |
| 500 | 0,47652 € | 238,26 € |
| 1.000 | 0,43474 € | 434,74 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,38170 € | 1.145,10 € |
| 6.000 | 0,35500 € | 2.130,00 € |
| 9.000 | 0,34140 € | 3.072,60 € |
| 15.000 | 0,32613 € | 4.891,95 € |
| 21.000 | 0,32201 € | 6.762,21 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,44000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,74240 € |



