Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.7424 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQJ912DEP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ912DEP-T1_GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 30A (Tc) 27W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ912DEP-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

cms-filter-similar-products

cms-show-empty-attributes

Category Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC a 10V
Serie TrenchFET®	Potencia - Máx. 27W (Tc)
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Estado de pieza Activo	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Configuración Dos canal N (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.3mOhm a 7A, 10V	Número de producto base SQJ912