Name: SQJ858AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ858AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.9481 EUR
Availability: InStock

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SQJ858AEP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQJ858AEP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ858AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ858AEP-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ858AEP-T1_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2450 pF @ 20 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 48W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 58A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.3mOhm a 14A, 10V	Número de producto base SQJ858
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA