Name: SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ570EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.8271 EUR
Availability: InStock

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SQJ570EP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ570EP-T1_GE3
Descripción	MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ570EP-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	45mOhm a 6A, 10V, 146mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20nC a 10V, 15nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	650pF a 25V, 600pF a 25V
Potencia - Máx.	27W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SQJ570