
SQJ570EP-T1_GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJ570EP-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJ570EP-T1_GE3 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 10V, 15nC a 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650pF a 25V, 600pF a 25V |
Serie | Potencia - Máx. 27W |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Canal N y P | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15A (Tc), 9.5A (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 45mOhm a 6A, 10V, 146mOhm a 6A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,59000 € | 1,59 € |
| 10 | 1,00900 € | 10,09 € |
| 100 | 0,67650 € | 67,65 € |
| 500 | 0,53404 € | 267,02 € |
| 1.000 | 0,48822 € | 488,22 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,43002 € | 1.290,06 € |
| 6.000 | 0,40073 € | 2.404,38 € |
| 9.000 | 0,38582 € | 3.472,38 € |
| 15.000 | 0,37024 € | 5.553,60 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,59000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,92390 € |


