Name: SQJ412EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ412EP-T1_BE3TR-ND
Price: 3.4727 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

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SQJ412EP-T1_BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ412EP-T1_BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ412EP-T1_BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ412EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ412EP-T1_BE3
Descripción	N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 32A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5950 pF @ 20 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 32A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.1mOhm a 10.3A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8

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En stock: 3.000

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,87156 €	2.614,68 €
6.000	0,83620 €	5.017,20 €

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,87000 €
Precio unitario con IVA:	3,47270 €

SQJ412EP-T1_BE3