Name: SQJ411EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ411EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.936 EUR
Availability: InStock

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SQJ411EP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQJ411EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ411EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ411EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ411EP-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 60A (Tc) 68W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.8mOhm a 15A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	150 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9100 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SQJ411