Name: SQJ264EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ264EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.5652 EUR
Availability: InStock

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SQJ264EP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ264EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ264EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ264EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ264EP-T1_GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montaje en superficie Paquete SO-8 PowerPAK® doble y asimétrico
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16nC a 10V, 32nC a 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1000pF a 25V, 2100pF a 25V
Serie TrenchFET®	Potencia - Máx. 27W (Tc), 48W (Tc)
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Estado de pieza Activo	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Configuración 2 canal N (dual), asimétrico	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20A (Tc), 54A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor Paquete SO-8 PowerPAK® doble y asimétrico
Rds On (máx) @ Id, Vgs 20mOhm a 6A, 10V, 8.6mOhm a 10A, 10V	Número de producto base SQJ264
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA

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Documentos y medios

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,12000 €
Precio unitario con IVA:	2,56520 €

SQJ264EP-T1_GE3