
SQJ262EP-T1_GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJ262EP-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 32 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montaje en superficie Paquete SO-8 PowerPAK® doble y asimétrico |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJ262EP-T1_GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 15A (Tc), 40A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 35.5mOhm a 2A, 10V, 15.5mOhm a 5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10nC a 10V, 23nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 550pF a 25V, 1260pF a 25V | |
Potencia - Máx. | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Uso automotriz | |
Calificación | AEC-Q101 | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | PowerPAK® SO-8 Dual | |
Paquete del dispositivo del proveedor | Paquete SO-8 PowerPAK® doble y asimétrico | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,64000 € | 1,64 € |
| 10 | 1,04700 € | 10,47 € |
| 100 | 0,70500 € | 70,50 € |
| 500 | 0,55858 € | 279,29 € |
| 1.000 | 0,51801 € | 518,01 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,42321 € | 1.269,63 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,64000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,98440 € |

