Name: SQJ166ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ166ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.6214 EUR
Availability: InStock

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SQJ166ELP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ166ELP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ166ELP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ166ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ166ELP-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 67A (Tc) 89W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1903 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 89W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 67A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.7mOhm a 20A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	1,34000 €
Precio unitario con IVA:	1,62140 €

SQJ166ELP-T1_GE3