Name: SQJ138EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ138EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.3111 EUR
Availability: InStock

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SQJ138EP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ138EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ138EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ138EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ138EP-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 330A (Tc) 312W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ138EP-T1_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET® Gen IV	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4715 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 312W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 330A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.8mOhm a 15A, 10V	Número de producto base SQJ138
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA

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Documentos y medios

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	1,91000 €
Precio unitario con IVA:	2,31110 €

SQJ138EP-T1_GE3