Name: SQJ110EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.7225 EUR
Availability: OutOfStock

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SQJ110EP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ110EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ110EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ110EP-T1_GE3
Descripción	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Plazo estándar del fabricante	37 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 170H (Tc) 500W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ110EP-T1_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 113 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6100 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 500W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 170H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.3mOhm a 15A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8