Name: SQD50N10-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND
Price: 2.7346 EUR
Availability: InStock

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SQD50N10-8M9L_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQD50N10-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQD50N10-8M9L_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 50H (Tc) 136W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQD50N10-8M9L_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2950 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 136W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.9mOhm a 15A, 10V	Número de producto base SQD50
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA

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Documentos y medios

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,26000 €
Precio unitario con IVA:	2,73460 €

SQD50N10-8M9L_GE3