Name: SQD19P06-60L_T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD19P06-60L_T4GE3TR-ND
Price: 2.1296 EUR
Availability: InStock

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SQD19P06-60L_T4GE3
N.º de producto de DigiKey	SQD19P06-60L_T4GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQD19P06-60L_T4GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQD19P06-60L_T4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQD19P06-60L_T4GE3
Descripción	MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 20A (Tc) 46W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	55mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1490 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	SQD19