Name: SQD10N30-330H_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD10N30-330H_GE3TR-ND
Price: 2.4079 EUR
Availability: InStock

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SQD10N30-330H_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQD10N30-330H_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQD10N30-330H_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQD10N30-330H_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQD10N30-330H_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 300 V 10A (Tc) 107W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±30V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2190 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 107W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 300 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 330mOhm a 14A, 10V	Número de producto base SQD10
Vgs(th) (máx) a Id 4.4V a 250µA