Name: SQ7414CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ7414CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.6214 EUR
Availability: InStock

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SQ7414CENW-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ7414CENW-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ7414CENW-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ7414CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ7414CENW-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 18A (Tc) 62W (Tc) PowerPAK® 1212-8W
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1590 pF @ 30 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 62W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8W
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8W
Rds On (máx) @ Id, Vgs 23mOhm a 8.7A, 10V	Número de producto base SQ7414
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	1,34000 €
Precio unitario con IVA:	1,62140 €

SQ7414CENW-T1_GE3