Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 2.4321 EUR
Availability: InStock

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SQ4949EY-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ4949EY-T1_GE3
Descripción	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 7.5A (Tc) 3.3W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.5A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	35mOhm a 5.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1020pF a 25V
Potencia - Máx.	3.3W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SQ4949