
SQ4920EY-T1_GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQ4920EY-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 8A 4.4W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | Compuerta de nivel lógico | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 8A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 14.5mOhm a 6A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 30nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1465pF a 15V | |
Potencia - Máx. | 4.4W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 1,77000 € | 1,77 € |
10 | 1,22500 € | 12,25 € |
100 | 0,89550 € | 89,55 € |
500 | 0,71686 € | 358,43 € |
1.000 | 0,70163 € | 701,63 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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2.500 | 0,59727 € | 1.493,17 € |
5.000 | 0,58509 € | 2.925,45 € |
Precio unitario sin IVA: | 1,77000 € |
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Precio unitario con IVA: | 2,14170 € |