Name: SQ4425EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4425EY-T1_GE3TR-ND
Price: 2.9282 EUR
Availability: InStock

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SQ4425EY-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ4425EY-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ4425EY-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ4425EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ4425EY-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 18A (Tc) 6.8W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50 nC @ 4.5 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3630 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 6.8W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 13A, 10V	Número de producto base SQ4425
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA