Name: SQ4182EY-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ4182EY-T1_BE3TR-ND
Price: 2.6378 EUR
Availability: InStock

SQ4182EY-T1_BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQ4182EY-T1_BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQ4182EY-T1_BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQ4182EY-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ4182EY-T1_BE3
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 32A (Tc) 7.1W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	32A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.8mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5400 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	7.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	SQ4182

Precio unitario sin IVA:	2,18000 €
Precio unitario con IVA:	2,63780 €

SQ4182EY-T1_BE3