Name: SQ2308FES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2308FES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.6413 EUR
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Vishay Siliconix

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SQ2308FES-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQ2308FES-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQ2308FES-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQ2308FES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ2308FES-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 2.3A (Tc) 2W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.3 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 205 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.3A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 150mOhm a 2.3A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SQ2308CES-T1_BE3	Vishay Siliconix	16.257	742-SQ2308CES-T1_BE3CT-ND	0,85000 €	Equivalente paramétrico

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