Name: SIZ998DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ998DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.5894 EUR
Availability: InStock

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SIZ998DT-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIZ998DT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIZ998DT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIZ998DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIZ998DT-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Montaje en superficie 8-PowerPair® (6x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIZ998DT-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.1nC a 4.5V, 19.8nC a 4.5V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 930pF a 15V, 2620pF a 15V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Potencia - Máx. 20.2W, 32.9W
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Configuración Dos canal N (doble), schottky	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PowerPair® (6x5)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20A (Tc), 60A (Tc)	Número de producto base SIZ998
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.7mOhm a 15A, 10V, 2.8mOhm a 19A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,14000 €
Precio unitario con IVA:	2,58940 €

SIZ998DT-T1-GE3