SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Productos de semiconductores discretos

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SIZ704DT-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIZ704DT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIZ704DT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIZ704DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIZ704DT-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 12A 6POWERPAIR
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 12A, 16A 20W, 30W Montaje en superficie 6-PowerPair™
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A, 16A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	24mOhm a 7.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	435pF a 15V
Potencia - Máx.	20W, 30W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerPair™
Paquete del dispositivo del proveedor	6-PowerPair™
Número de producto base	SIZ704