SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Arreglos FET, MOSFET

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SIZ300DT-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIZ300DT-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 11 A, 28 A 16.7W, 31W Montaje en superficie 8-PowerPair®
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIZ300DT-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 24mOhm a 9.8A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 400pF a 15V
Estado de pieza Obsoleto	Potencia - Máx. 16.7W, 31W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración 2 canales N (medio puente)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PowerPair®
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11 A, 28 A	Número de producto base SIZ300

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
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SIZ300DT-T1-GE3