Name: SIUD403ED-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIUD403ED-T1-GE3TR-ND
Price: 0.4477 EUR
Availability: InStock

SIUD403ED-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIUD403ED-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIUD403ED-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIUD403ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIUD403ED-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) PowerPAK® 0806
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIUD403ED-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	500mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.25Ohm a 300mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	31 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 0806
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 0806
Número de producto base	SIUD403

Precio unitario sin IVA:	0,37000 €
Precio unitario con IVA:	0,44770 €

SIUD403ED-T1-GE3