Name: SISS80DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS80DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.8314 EUR
Availability: InStock

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SISS80DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SISS80DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS80DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS80DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS80DN-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) +12V, -8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6450 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 65W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 58.3A (Ta), 210A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8S
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V	Número de producto base SISS80
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.92mOhm a 10A, 10V