
SISS60DN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS60DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS60DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS60DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 1.31mOhm a 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 85.5 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +16V, -12V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3960 pF @ 15 V | |
Característica de FET | Diodo Schottky (cuerpo) | |
Disipación de potencia (Máx.) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8S | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 2,00000 € | 2,00 € |
| 10 | 1,28000 € | 12,80 € |
| 100 | 0,86920 € | 86,92 € |
| 500 | 0,69324 € | 346,62 € |
| 1.000 | 0,63668 € | 636,68 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,56485 € | 1.694,55 € |
| 6.000 | 0,52873 € | 3.172,38 € |
| 9.000 | 0,51033 € | 4.592,97 € |
| 15.000 | 0,50835 € | 7.625,25 € |
| Precio unitario sin IVA: | 2,00000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,42000 € |




