Name: SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8755 EUR
Availability: OutOfStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SISS52DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS52DN-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 47.1A (Ta), 162A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8SH
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SISS52DN-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (máx.) +16V, -12V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2950 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SH
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 47.1A (Ta), 162A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8SH
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SISS52
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2mOhm a 20A, 10V