Name: SISS5110DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.42 EUR
Availability: InStock

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SISS5110DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS5110DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS5110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS5110DN-T1-GE3
Descripción	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 13.4A (Ta), 46.4A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 920 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13.4A (Ta), 46.4A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8S
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V	Número de producto base SISS5110
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.9mOhm a 10A, 10V

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,00000 €
Precio unitario con IVA:	2,42000 €

SISS5110DN-T1-GE3