Name: SISS30DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS30DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.936 EUR
Availability: InStock

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SISS30DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SISS30DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS30DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS30DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS30DN-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1666 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8S
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V	Número de producto base SISS30
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.25mOhm a 10A, 10V