Name: SISS10DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS10DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9118 EUR
Availability: InStock

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SISS10DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SISS10DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISS10DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISS10DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS10DN-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 60A (Tc) 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

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Category Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) +20V, -16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3750 pF @ 20 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 57W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 60A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8S
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SISS10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.65mOhm a 15A, 10V

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Documentos y medios

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	1,58000 €
Precio unitario con IVA:	1,91180 €

SISS10DN-T1-GE3