
SISF00DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISF00DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8SCD Doble |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | 2 canal N (dual), drenaje común | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 60A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.1V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 53nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2700pF a 15V | |
Potencia - Máx. | 69.4W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | PowerPAK® 1212-8SCD Doble | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8SCD Doble | |
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 1,73000 € | 1,73 € |
10 | 1,10500 € | 11,05 € |
100 | 0,74670 € | 74,67 € |
500 | 0,59328 € | 296,64 € |
1.000 | 0,55818 € | 558,18 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,48127 € | 1.443,81 € |
6.000 | 0,45603 € | 2.736,18 € |
Precio unitario sin IVA: | 1,73000 € |
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Precio unitario con IVA: | 2,09330 € |