
SIS9122DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | 742-SIS9122DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIS9122DN-T1-GE3 |
Descripción | DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 100V 2.5A (Ta), 7.1A (Tc) 2.3W (Ta), 17.8W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | 2 canales N | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 2.5A (Ta), 7.1A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 160mOhm a 2.5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 6nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 210pF a 50V | |
Potencia - Máx. | 2.3W (Ta), 17.8W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 6.000 | 0,36009 € | 2.160,54 € |
| Precio unitario sin IVA: | 0,36009 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 0,43571 € |


