Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.573 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SIS903DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIS903DN-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIS903DN-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20.1mOhm a 5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	42nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2565pF a 10V
Potencia - Máx.	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8 Dual
Número de producto base	SIS903